International Rectifier (Infineon Technologies)

IDB18E120ATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IDB18E120ATMA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IDB18E120ATMA1.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

2.15V @ 18A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

1200V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-3
गति

Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

195ns
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

IDB18E120
IDB18E120-ND
IDB18E120ATMA1TR
SP000013919
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 1200V 31A (DC) Surface Mount PG-TO263-3
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

100µA @ 1200V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

31A (DC)
समाई @ वीआर, एफ

-

निम्नलिखित "IDB18E120ATMA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IDB23E60ATMA1

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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