International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB023N06N3GATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPB023N06N3GATMA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPB023N06N3GATMA1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 141µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-7
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.3 mOhm @ 100A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

214W (Tc)
पैकेजिंग

Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
दुसरे नाम

IPB023N06N3 GDKR
IPB023N06N3 GDKR-ND
IPB023N06N3GATMA1DKR
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

16000pF @ 30V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

198nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V
विस्तृत विवरण

N-Channel 60V 140A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

140A (Tc)

निम्नलिखित "IPB023N06N3GATMA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IPB029N06N3GATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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