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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPB60R099C7ATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 490µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO263-3
  • शृंखला
    CoolMOS™ C7
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    99 mOhm @ 9.7A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    110W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • दुसरे नाम
    IPB60R099C7ATMA1-ND
    IPB60R099C7ATMA1TR
    SP001297998
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1819pF @ 400V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    42nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    650V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 650V 22A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    22A (Tc)
IPB50R250CPATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R099C6ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R125CPATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB530N15N3GATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

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IPB60R160C6ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R099P7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB60R160P6ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB60R165CPATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

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IPB60R125C6ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

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IPB60R080P7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB60R120C7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

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IPB60R099CPATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

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विवरण: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB50R299CPATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

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IPB60R040C7ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

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IPB600N25N3GATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

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IPB60R099CPAATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

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विवरण: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

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विवरण: MOSFET N-CH TO263-3

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