International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R950C6ATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPB60R950C6ATMA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPB60R950C6ATMA1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 130µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D²PAK (TO-263AB)
शृंखला

CoolMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

950 mOhm @ 1.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

37W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

IPB60R950C6ATMA1CT
IPB60R950C6CT
IPB60R950C6CT-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

280pF @ 100V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V
विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.4A (Tc)

निम्नलिखित "IPB60R950C6ATMA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IPB60R380P6ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V TO263-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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