International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB70N10S3L12ATMA1

कोट अनुरोध करें

कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक फ़ील्ड को पूरा करें। "RFQ सबमिट करें" हम आपको ईमेल द्वारा शीघ्र ही संपर्क करेंगे।या हमें ईमेल करें:info@ftcelectronics.com

संदर्भ मूल्य (यूएस डॉलर में)~~~~

~~स्टॉक में~~

1000+

$0.944

जांच ऑनलाइन

मात्रा

लक्ष्य मूल्य (USD)

संपर्क नाम

कंपनी

ईमेल

फ़ोन

संदेश

विशेष विवरण

भाग संख्या

IPB70N10S3L12ATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPB70N10S3L12ATMA1.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.4V @ 83µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-3-2

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

11.8 mOhm @ 70A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

125W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

दुसरे नाम

IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
IPB70N10S3L12ATMA1TR
SP000379631

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5550pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

80nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

70A (Tc)