International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N04S303ATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPB80N04S303ATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPB80N04S303ATMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 120µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-3-2

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3.2 mOhm @ 80A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

188W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

दुसरे नाम

IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
IPB80N04S303ATMA1CT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7300pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

110nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V

विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 80A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

80A (Tc)