International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD25CNE8N G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD25CNE8N G
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPD25CNE8N G.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 39µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

25 mOhm @ 35A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

71W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

IPD25CNE8N G-ND
IPD25CNE8NG
SP000096457
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2070pF @ 40V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

31nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

85V
विस्तृत विवरण

N-Channel 85V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

35A (Tc)

निम्नलिखित "IPD25CNE8N G" संबंधित उत्पाद हैं।

IPD25N06S4L30ATMA2

विवरण: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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