International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N08S2L21ATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD30N08S2L21ATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPD30N08S2L21ATMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 80µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

20.5 mOhm @ 25A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

136W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1650pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

72nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

75V

विस्तृत विवरण

N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

30A (Tc)