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1599358IPD50N06S409ATMA1 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50N06S409ATMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD50N06S409ATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IPD50N06S409ATMA1.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 34µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO252-3
  • शृंखला
    OptiMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    71W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    IPD50N06S4-09
    IPD50N06S4-09-ND
    IPD50N06S409ATMA1TR
    SP000374321
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3785pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    47nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    50A (Tc)
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IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

विवरण: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N06S2L13ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N08S413ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH TO252-3

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IPD50N06S4L12ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N04S410ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N03S4L06ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD50P03P4L11ATMA1

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विवरण: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

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IPD50N06S4L08ATMA2

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50N04S309ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

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IPD50N06S214ATMA2

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

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IPD50N12S3L15ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL_100+

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IPD50N06S4L08ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50N06S4L12ATMA2

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50N06S214ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

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IPD50N04S4L08ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

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IPD50N06S409ATMA2

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50N04S308ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

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IPD50N04S408ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

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IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1

विवरण: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

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IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3

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