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6338259IPD50R399CP छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R399CP

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD50R399CP
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 330µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO252-3
  • शृंखला
    CoolMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    399 mOhm @ 4.9A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    83W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    SP000234984
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    890pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    23nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    550V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 550V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    9A (Tc)
IPD50R2K0CEBTMA1

IPD50R2K0CEBTMA1

विवरण: CONSUMER

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IPD50R520CPATMA1

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विवरण: LOW POWER_LEGACY

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IPD50R1K4CEBTMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

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IPD50R399CPBTMA1

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विवरण: LOW POWER_LEGACY

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IPD50R3K0CEBTMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

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IPD50R280CEATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

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IPD50R3K0CEAUMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

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IPD50R280CEBTMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

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IPD50R280CEAUMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252

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IPD50R2K0CEAUMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252

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