International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R2K1CEBTMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD60R2K1CEBTMA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V TO-252-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPD60R2K1CEBTMA1.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 60µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252-3
शृंखला

CoolMOS™ CE
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.1 Ohm @ 760mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

22W (Tc)
पैकेजिंग

Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

IPD60R2K1CEBTMA1DKR
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

140pF @ 100V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.7nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V
विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount TO-252-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.3A (Tc)

निम्नलिखित "IPD60R2K1CEBTMA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IPD60R2K0C6ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V TO252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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