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IPD60R600C6BTMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD60R600C6BTMA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 200µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO252-3
  • शृंखला
    CoolMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    63W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    IPD60R600C6
    IPD60R600C6BTMA1TR
    IPD60R600C6INTR
    IPD60R600C6INTR-ND
    SP000660622
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    440pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    20.5nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    7.3A (Tc)
IPD60R450E6BTMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

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IPD60R520C6ATMA1

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