International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R420CFDBTMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD65R420CFDBTMA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPD65R420CFDBTMA1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.5V @ 340µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3
शृंखला

CoolMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

420 mOhm @ 3.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

83.3W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

IPD65R420CFDBTMA1CT
IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

870pF @ 100V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

32nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

650V
विस्तृत विवरण

N-Channel 650V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.7A (Tc)

निम्नलिखित "IPD65R420CFDBTMA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IPD65R250C6XTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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