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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPG20N06S4L11ATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.2V @ 28µA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TDSON-8-4
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    11.2 mOhm @ 17A, 10V
  • पावर - मैक्स
    65W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerVDFN
  • दुसरे नाम
    SP000705550
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    4020pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    53nC @ 10V
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • FET फ़ीचर
    Logic Level Gate
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    20A
IPG20N06S4L11AATMA1

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विवरण: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N06S3L-23

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विवरण: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

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विवरण: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

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