International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI045N10N3GXKSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPI045N10N3GXKSA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPI045N10N3GXKSA1.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 150µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO262-3

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4.5 mOhm @ 100A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

214W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

दुसरे नाम

IPI045N10N3 G
IPI045N10N3 G-ND
IPI045N10N3G
SP000683068

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

8410pF @ 50V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

117nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

6V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)