International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI139N08N3GHKSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPI139N08N3GHKSA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPI139N08N3GHKSA1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 33µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO262-3
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

13.9 mOhm @ 45A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

79W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
दुसरे नाम

IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1730pF @ 40V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

25nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

6V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

80V
विस्तृत विवरण

N-Channel 80V 45A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

45A (Tc)

निम्नलिखित "IPI139N08N3GHKSA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IPI12CN10N G

विवरण: MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

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