International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP023NE7N3GXKSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPP023NE7N3GXKSA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 75V 120A TO220

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPP023NE7N3GXKSA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.8V @ 273µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO220-3-1

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.3 mOhm @ 100A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

300W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

दुसरे नाम

IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177
IPP023NE7N3 G E8177-ND
IPP023NE7N3 G-ND
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3 GTR-ND
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
SP000641722

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

14400pF @ 37.5V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

206nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

75V

विस्तृत विवरण

N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

120A (Tc)