International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS12CN10LGBKMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPS12CN10LGBKMA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IPS12CN10LGBKMA1.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.4V @ 83µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO251-3
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

11.8 mOhm @ 69A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

125W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-251-3 Stub Leads, IPak
दुसरे नाम

IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5600pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

58nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

69A (Tc)

निम्नलिखित "IPS12CN10LGBKMA1" संबंधित उत्पाद हैं।

IPS15C-SO-G-LF-TR

विवरण: POE PSE CONTROLLER

निर्माता: Microsemi

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अग्रिम पंजीकरण

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