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3826132IPS65R1K4C6AKMA1 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPS65R1K4C6AKMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPS65R1K4C6AKMA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO251-3
  • शृंखला
    CoolMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    1.4 Ohm @ 1A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    28W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • दुसरे नाम
    SP000991120
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    225pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    10.5nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    650V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 650V 3.2A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    3.2A (Tc)
IPS65R1K0CEAKMA2

IPS65R1K0CEAKMA2

विवरण: CONSUMER

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विवरण: IC SWITCH IPS HIGH SIDE 8-SOIC

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IPS60R460CEAKMA1

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विवरण: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK

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IPS65R650CEAKMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

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IPS60R3K4CEAKMA1

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IPS60R800CEAKMA1

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IPS65R950C6AKMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251

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विवरण: IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH 8-SOIC

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IPS60R650CEAKMA1

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विवरण: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE DPAK

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IPS65R1K0CEAKMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

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