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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPW60R090CFD7XKSA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    HIGH POWER_NEW
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4.5V @ 570µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO247-3
  • शृंखला
    OptiMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    90 mOhm @ 11.4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    125W (Tc)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-247-3
  • दुसरे नाम
    SP001686056
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2103pF @ 400V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    51nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    25A (Tc)
IPW60R099C6FKSA1

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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विवरण: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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विवरण: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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विवरण: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

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विवरण: MOSFET N-CH 600V TO247-3

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 31A TO-247

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 39A TO-247

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

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विवरण: HIGH POWER_NEW

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 53A TO247

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विवरण: AUTOMOTIVE

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विवरण: MOSFET N-CH 600V TO247-3

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 31A TO-247

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विवरण: HIGH POWER_NEW

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

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