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3126254IRF1010NSTRL छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1010NSTRL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRF1010NSTRL
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    IRF1010NSTRL.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    11 mOhm @ 43A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    180W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3210pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    120nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    55V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    85A (Tc)
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IRF1010ZSPBF

IRF1010ZSPBF

विवरण: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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IRF1010ZS

IRF1010ZS

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IRF1010EZLPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262

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IRF1010Z

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IRF1010ZPBF

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IRF1010ZLPBF

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IRF1010EZSTRLP

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IRF1010NSTRRPBF

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IRF1010NLPBF

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IRF1010NSTRR

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IRF1010EZS

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IRF1010NL

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IRF1010EZL

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IRF1010ZL

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