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2673652IRF3205L छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3205L

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRF3205L
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    IRF3205L.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-262
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    8 mOhm @ 62A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    200W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • दुसरे नाम
    *IRF3205L
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3247pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    146nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    55V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    110A (Tc)
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IRF3007STRLPBF

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IRF3205LPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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