International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3706PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF3706PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF3706PBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±12V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8.5 mOhm @ 15A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

88W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
दुसरे नाम

*IRF3706PBF
SP001563152
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2410pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

35nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.8V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

N-Channel 20V 77A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

77A (Tc)

निम्नलिखित "IRF3706PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF3706LPBF

विवरण: MOSFET N-CH 20V 77A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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