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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3709

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF3709
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRF3709.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

9 mOhm @ 15A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.1W (Ta), 120W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
दुसरे नाम

*IRF3709
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2672pF @ 16V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

41nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

90A (Tc)

निम्नलिखित "IRF3709" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF3709STRRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

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अग्रिम पंजीकरण

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