International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF5803D2PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF5803D2PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF5803D2PBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO
शृंखला

FETKY™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

112 mOhm @ 3.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2W (Ta)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
दुसरे नाम

SP001554058
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1110pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

37nC @ 10V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

Schottky Diode (Isolated)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V
विस्तृत विवरण

P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.4A (Ta)

निम्नलिखित "IRF5803D2PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF5804TRPBF

विवरण: MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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