International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6618TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6618TRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRF6618TRPBF.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.35V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ MT

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.2 mOhm @ 30A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric MT

दुसरे नाम

IRF6618TRPBFTR
SP001529242

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5640pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

65nC @ 4.5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

30A (Ta), 170A (Tc)