International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6706S2TR1PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6706S2TR1PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF6706S2TR1PBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.35V @ 25µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET S1
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3.8 mOhm @ 17A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta), 26W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric S1
दुसरे नाम

IRF6706S2TR1PBFTR
SP001528294
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1810pF @ 13V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

25V
विस्तृत विवरण

N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

17A (Ta), 63A (Tc)

निम्नलिखित "IRF6706S2TR1PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF6709S2TR1PBF

विवरण: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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