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IRF7416TRPBF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRF7416TRPBF
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    20 mOhm @ 5.6A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    2.5W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    IRF7416TRPBF-ND
    IRF7416TRPBFTR
    SP001554262
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1700pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    92nC @ 10V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    10A (Ta)
IRF7416QTRPBF

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विवरण: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC

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IRF7421D1TR

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

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IRF7421D1TRPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

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IRF7416PBF

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विवरण: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

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IRF7421D1PBF

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IRF7422D2TR

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विवरण: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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IRF7413Z

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