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3590694IRF7464 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7464

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRF7464
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5.5V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    730 mOhm @ 720mA, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    2.5W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    *IRF7464
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    280pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    14nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    200V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 200V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    1.2A (Ta)
IRF7460TRPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRF7466TR

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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IRF7464TR

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विवरण: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

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IRF7463PBF

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

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IRF7465

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC

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IRF7464TRPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC

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IRF7459TRPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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IRF7460

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विवरण: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

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