IRF7701GTRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF7701GTRPBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF7701GTRPBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±8V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-TSSOP
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

11 mOhm @ 10A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.5W (Ta)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
दुसरे नाम

IRF7701GTRPBFCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5050pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

100nC @ 4.5V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

12V
विस्तृत विवरण

P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Ta)

निम्नलिखित "IRF7701GTRPBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF7703GTRPBF

विवरण: MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

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