International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7759L2TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF7759L2TRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRF7759L2TRPBF.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET L8

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.3 mOhm @ 96A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

पैकेजिंग

Original-Reel®

पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric L8

दुसरे नाम

IRF7759L2TRPBFDKR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

12222pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

300nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

75V

विस्तृत विवरण

N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

26A (Ta), 375A (Tc)