International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5053TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFH5053TRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRFH5053TRPBF.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.9V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PQFN (5x6) Single Die

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

18 mOhm @ 9.3A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.1W (Ta), 8.3W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN

दुसरे नाम

IRFH5053TRPBFTR
SP001556266

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

2 (1 Year)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1510pF @ 50V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

36nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9.3A (Ta), 46A (Tc)