International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5301TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFH5301TRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRFH5301TRPBF.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.35V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PQFN (5x6) Single Die

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.85 mOhm @ 50A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.6W (Ta), 110W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN

दुसरे नाम

IRFH5301TRPBF-ND
IRFH5301TRPBFTR
SP001556462

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5114pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

77nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

35A (Ta), 100A (Tc)