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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH6200TR2PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFH6200TR2PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRFH6200TR2PBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.1V @ 150µA
वीजीएस (मैक्स)

±12V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-PQFN (5x6)
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

0.95 mOhm @ 50A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.6W (Ta), 156W (Tc)
पैकेजिंग

Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN
दुसरे नाम

IRFH6200TR2PBFDKR
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

10890pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

230nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

N-Channel 20V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

49A (Ta), 100A (Tc)

निम्नलिखित "IRFH6200TR2PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFH6200TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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