International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH7911TR2PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFH7911TR2PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRFH7911TR2PBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.35V @ 25µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PQFN (5x6)
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8.6 mOhm @ 12A, 10V
पावर - मैक्स

2.4W, 3.4W
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

18-PowerVQFN
दुसरे नाम

IRFH7911TR2PBFCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

2 (1 Year)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1060pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

12nC @ 4.5V
FET प्रकार

2 N-Channel (Dual)
FET फ़ीचर

Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

13A, 28A
आधार भाग संख्या

IRFH7911PBF

निम्नलिखित "IRFH7911TR2PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFH7545TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

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