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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHS8242TR2PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFHS8242TR2PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRFHS8242TR2PBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.35V @ 25µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-PQFN (2x2)
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

13 mOhm @ 8.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.1W (Ta)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

6-PowerVDFN
दुसरे नाम

IRFHS8242TR2PBFCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

653pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.4nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

25V
विस्तृत विवरण

N-Channel 25V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9.9A (Ta), 21A (Tc)

निम्नलिखित "IRFHS8242TR2PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFHS8242TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN

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