IRFR12N25DPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFR12N25DPBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRFR12N25DPBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-Pak
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

260 mOhm @ 8.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

144W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

*IRFR12N25DPBF
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

810pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

35nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

250V
विस्तृत विवरण

N-Channel 250V 14A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

14A (Tc)

निम्नलिखित "IRFR12N25DPBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFR120ZTRL

विवरण: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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