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IRFR13N20DTRL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRFR13N20DTRL
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - टेस्ट
    830pF @ 25V
  • वोल्टेज - टूटने
    D-Pak
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    235 mOhm @ 8A, 10V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • शृंखला
    HEXFET®
  • RoHS स्थिति
    Tape & Reel (TR)
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    13A (Tc)
  • ध्रुवीकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    IRFR13N20DTRL
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    38nC @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    5.5V @ 250µA
  • FET फ़ीचर
    N-Channel
  • विस्तारित विवरण
    N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    -
  • विवरण
    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    200V
  • समाई अनुपात
    110W (Tc)
IRFR13N20DTRRP

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विवरण: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

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IRFR13N15DTR

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

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विवरण: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

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IRFR13N20DTRLP

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विवरण: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

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IRFR13N15DTRR

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IRFR13N20DCPBF

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IRFR13N15DTRL

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IRFR13N20DCTRLP

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IRFR13N20DCTRRP

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