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IRFR5505PBF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRFR5505PBF
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D-Pak
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    110 mOhm @ 9.6A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    57W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    SP001557164
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    650pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    32nC @ 10V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    55V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 55V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    18A (Tc)
IRFR5505TRLPBF

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IRFR5505TRR

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IRFR5505GTRPBF

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विवरण: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

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IRFR6215PBF

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विवरण: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

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IRFR5505CPBF

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विवरण: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

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IRFR5505CTRLPBF

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