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IRG7CH50K10EF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRG7CH50K10EF
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT CHIP WAFER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IRG7CH50K10EF.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    1200V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.2V @ 15V, 25A
  • परीक्षण स्थिति
    600V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    50ns/280ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    -
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Die
  • शृंखला
    -
  • पैकेज / प्रकरण
    Die
  • दुसरे नाम
    SP001532664
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    Trench Field Stop
  • गेट प्रभारी
    170nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    35A
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IRG7CH35UEF

IRG7CH35UEF

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IRG7CH42UED

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IRG7CH50UEF

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IRG7CH73K10EF-R

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IRG7CH35UED

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IRG7CH75K10EF

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IRG7CH28UEF

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IRG7CH30K10EF

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IRG7CH73K10EF

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IRG7CH73UED-R

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IRG7CH54K10EF-R

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IRG7CH46UED

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IRG7CH46UEF

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IRG7CH75K10EF-R

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