International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLBA1304P

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRLBA1304P
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRLBA1304P.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±16V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SUPER-220™ (TO-273AA)
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4 mOhm @ 110A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

300W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

Super-220™-3 (Straight Leads)
दुसरे नाम

*IRLBA1304P
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7660pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

140nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V
विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

185A (Tc)

निम्नलिखित "IRLBA1304P" संबंधित उत्पाद हैं।

IRLB3036PBF

विवरण: MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

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