IRLL2705TR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRLL2705TR
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRLL2705TR.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±16V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-223
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

40 mOhm @ 3.8A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1W (Ta)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-261-4, TO-261AA
दुसरे नाम

*IRLL2705TR
IRLL2705CT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

870pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

48nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V
विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.8A (Ta)

निम्नलिखित "IRLL2705TR" संबंधित उत्पाद हैं।

IRLM210ATF

विवरण: MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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