IRLML2803GTRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRLML2803GTRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRLML2803GTRPBF.pdf

ईसीएडी मॉडल

वोल्टेज - टेस्ट

85pF @ 25V

वोल्टेज - टूटने

Micro3™/SOT-23

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

250 mOhm @ 910mA, 10V

वीजीएस (मैक्स)

4.5V, 10V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

शृंखला

HEXFET®

RoHS स्थिति

Cut Tape (CT)

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.2A (Ta)

ध्रुवीकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

दुसरे नाम

IRLML2803GTRPBFCT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

10 Weeks

उत्पादक हिस्सा करमार्क

IRLML2803GTRPBF

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5nC @ 10V

आईजीबीटी प्रकार

±20V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1V @ 250µA

FET फ़ीचर

N-Channel

विस्तारित विवरण

N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

-

विवरण

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

30V

समाई अनुपात

540mW (Ta)