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IRLR014NPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRLR014NPBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRLR014NPBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±16V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-Pak
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

140 mOhm @ 6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

28W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

*IRLR014NPBF
SP001577034
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

265pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

7.9nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V
विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Tc)

निम्नलिखित "IRLR014NPBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRLR014TRL

विवरण: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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अग्रिम पंजीकरण

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