IRLR8113TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRLR8113TRPBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRLR8113TRPBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.25V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-Pak
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6 mOhm @ 15A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

89W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

*IRLR8113TRPBF
IRLR8113PBFCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2920pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

32nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

94A (Tc)

निम्नलिखित "IRLR8113TRPBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRLR8503PBF

विवरण: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

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