SI3443DV

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SI3443DV
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

SI3443DV.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±12V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Micro6™(TSOP-6)
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2W (Ta)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
दुसरे नाम

*SI3443DV
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1079pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15nC @ 4.5V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.4A (Ta)

निम्नलिखित "SI3443DV" संबंधित उत्पाद हैं।

SI3443DV

विवरण: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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