SIDC14D120H6X1SA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SIDC14D120H6X1SA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

SIDC14D120H6X1SA1.pdf
ईसीएडी मॉडल
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.6V @ 25A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

1200V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Sawn on foil
गति

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

Die
दुसरे नाम

SIDC14D120H6
SIDC14D120H6-ND
SP000013210
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 1200V 25A (DC) Surface Mount Sawn on foil
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

27µA @ 1200V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

25A (DC)
समाई @ वीआर, एफ

-

निम्नलिखित "SIDC14D120H6X1SA1" संबंधित उत्पाद हैं।

SIDC14D60E6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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