SIDC81D120E6X1SA4

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SIDC81D120E6X1SA4
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

SIDC81D120E6X1SA4.pdf
ईसीएडी मॉडल
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.9V @ 100A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

1200V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Sawn on foil
गति

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

Die
दुसरे नाम

SIDC81D120E6
SIDC81D120E6-ND
SP000011952
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 1200V 100A (DC) Surface Mount Sawn on foil
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

27µA @ 1200V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

100A (DC)
समाई @ वीआर, एफ

-

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SIDR402DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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