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SIDC81D120E6X1SA4

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SIDC81D120E6X1SA4
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.9V @ 100A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    1200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Sawn on foil
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Die
  • दुसरे नाम
    SIDC81D120E6
    SIDC81D120E6-ND
    SP000011952
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 1200V 100A (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    27µA @ 1200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    100A (DC)
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIDC56D120F6X1SA1

SIDC56D120F6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC56D170E6X1SA1

SIDC56D170E6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC50D60C6X1SA1

SIDC50D60C6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 150V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIDC56D120E6X1SA1

SIDC56D120E6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC53D120H8X1SA1

SIDC53D120H8X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

विवरण: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC73D170E6X1SA2

SIDC73D170E6X1SA2

विवरण: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 30V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIDC53D120H6X1SA3

SIDC53D120H6X1SA3

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

विवरण: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SIDEGIG-GUITAREVM

SIDEGIG-GUITAREVM

विवरण: EVALUATION MODULE

निर्माता: Luminary Micro / Texas Instruments
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