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SPB80N06S08ATMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SPB80N06S08ATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 240µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO263-3-2
  • शृंखला
    SIPMOS®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    7.7 mOhm @ 80A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    300W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • दुसरे नाम
    SP000054056
    SP000084808
    SPB80N06S-08
    SPB80N06S-08-ND
    SPB80N06S08
    SPB80N06S08ATMA1TR
    SPB80N06S08T
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3660pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    187nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    55V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    80A (Tc)
SPB80N06S2-08

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SPB80N06S2-07

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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SPB80N06S2-09

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विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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SPB80N03S2L-05

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

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SPB80N04S2L-03

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

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SPB80N03S2L-04 G

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SPB80N04S2-04

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SPB80N06S2L-07

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SPB80N03S2L06T

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SPB80N06S2L-09

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SPB80N04S2-H4

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SPB80N03S2L-06

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SPB80N06S2L-11

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SPB80N06S2-05

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SPB80N06S2-H5

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SPB80N06S2L-06

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