International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB80N10L G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPB80N10L G
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SPB80N10L G.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 2mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-3-2
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

14 mOhm @ 58A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

250W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

SP000102173
SPB80N10L G-ND
SPB80N10LGINTR
SPB80N10LGXT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4540pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

240nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

80A (Tc)

निम्नलिखित "SPB80N10L G" संबंधित उत्पाद हैं।

SPBT2532C2.AT2

विवरण: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

निर्माता: STMicroelectronics

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अग्रिम पंजीकरण

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